大晶磊半導體,中高大型電機壓碳化硅MOSFET驅(qū)動方案

時間：2020-01-12 10:00

SEMICONChina作為中國首要的半導體行業(yè)盛事之一,于2019年3月20日到3月22日在上海新國際博覽中心隆重舉行。在大會舉辦的“功率與化合物半導體國際論壇中”主辦方請來了美國科銳、德國英飛凌，等行業(yè)龍頭企業(yè)來介紹新的技術進展和市場發(fā)展方向。

會上，浙江大晶磊半導體科技有限公司介紹了新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動解決方案。

浙江大晶磊半導體科技有限公司，成立與2018年，是屬于上海大革智能科技有公司的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈集團的一個重要組成部分。大晶磊半導體是一家主要專注于碳化硅功率器件與功率器件應用技術的企業(yè)。

隨著近年來國內(nèi)國際上，碳化硅功率器件技術的不斷發(fā)展。半導體功率器件的未來主流將被替代為碳化硅器件的趨勢已經(jīng)非常明顯。

光伏發(fā)電、新能源汽車車載充電器、新能源汽車充電樁這幾個領域，碳化硅器件已經(jīng)占據(jù)了相當?shù)氖袌?。接下來隨著器件技術的不斷發(fā)展，制造產(chǎn)線的增加，碳化硅器件將逐步更多的應用到UPS、電機驅(qū)動、牽引、電網(wǎng)等方面。

在電網(wǎng)應用領域，碳化硅器件不斷地朝著耐更高的電壓、運行的頻率提高、體積減小、小功率控制大功率，這幾個方向發(fā)展。而目前市場上，對于高壓應用的碳化硅MOSFET的驅(qū)動產(chǎn)品還處于半空白狀態(tài)。

目前，針對高壓應用的碳化硅MOSFET的驅(qū)動設計主要受限制于：絕緣設計、耦合電容、開關頻率三個方面。

目前，大晶磊半導體可以為市場提供通過90kVBIL測試的碳化硅驅(qū)動模塊。而且此驅(qū)動模塊可以將碳化硅MOSFET的開關頻率提升到500kHz，而耦合電容可以被控制在0.9pF。

同時，大晶磊半導體還為此款驅(qū)動設計中還包含的，獨有的高壓隔離電源設計方案。此款電源設計符合國際高壓標準，在保證驅(qū)動正常運行的同時，電源體積相對于市場上的傳統(tǒng)電源縮小三分之一。

浙江大晶磊半導體科技有限公司的研發(fā)團隊，接下來即將與國內(nèi)外的碳化硅器件供應商一起為國內(nèi)電網(wǎng)領域的第三代半導體器件的應用提供解決方案。